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Rakon瑞康為什么應(yīng)該放棄標(biāo)準(zhǔn)COTS振蕩器而改用抗輻射的振蕩器

來源：http://www.giantshuffleboard.com 作者：金洛鑫電子 2025年08月25
Rakon瑞康晶振為什么應(yīng)該放棄標(biāo)準(zhǔn)COTS振蕩器而改用抗輻射的振蕩器
       標(biāo)準(zhǔn)COTS振蕩器的局限性,標(biāo)準(zhǔn)COTS振蕩器通常為滿足大眾市場需求而設(shè)計,在面對極端環(huán)境時,其性能會大打折扣.例如,在高溫或低溫環(huán)境下,COTS振蕩器的頻率穩(wěn)定性會受到嚴(yán)重影響.根據(jù)相關(guān)研究,普通COTS振蕩器在溫度范圍從-40°C到+85°C變化時,頻率漂移可能高達(dá)±50ppm.這對于一些對頻率精度要求極高的應(yīng)用,如衛(wèi)星通信中的信號同步,是無法接受的偏差,可能導(dǎo)致信號傳輸錯誤,數(shù)據(jù)丟失等嚴(yán)重后果.
       在高濕度,強(qiáng)電磁干擾等環(huán)境中,COTS振蕩器同樣面臨挑戰(zhàn).其密封性能往往不足以抵御濕氣侵入,從而影響內(nèi)部電路的正常工作.同時,由于缺乏有效的電磁屏蔽設(shè)計,在強(qiáng)電磁干擾環(huán)境下,COTS振蕩器容易受到外界干擾,產(chǎn)生頻率抖動和相位噪聲,進(jìn)而降低整個系統(tǒng)的性能.抗輻射能力嚴(yán)重不足,在太空,核工業(yè)等輻射環(huán)境中,標(biāo)準(zhǔn)COTS振蕩器幾乎無法正常工作.輻射會對振蕩器內(nèi)部的半導(dǎo)體材料和電路造成損害,引發(fā)多種問題.比如,總電離劑量(TID)輻射會導(dǎo)致CMOS器件的閾值電壓漂移,使電路的邏輯功能出現(xiàn)錯誤.單粒子效應(yīng)(SEE)則可能引發(fā)單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU),導(dǎo)致存儲單元的數(shù)據(jù)錯誤,或產(chǎn)生單粒子鎖定(SEL),使芯片進(jìn)入高電流狀態(tài),甚至燒毀芯片.在衛(wèi)星所處的低地球軌道環(huán)境中,輻射劑量可達(dá)每年數(shù)krad,在這樣的環(huán)境下,標(biāo)準(zhǔn)COTS振蕩器的壽命可能會被大幅縮短,無法滿足衛(wèi)星長期穩(wěn)定運行的需求性能一致性與可靠性存疑,COTS器件的制造工藝和質(zhì)量控制標(biāo)準(zhǔn)相對寬松,不同批次甚至同一批次的產(chǎn)品之間,性能可能存在較大差異.這是因為COTS器件的生產(chǎn)往往更注重成本和產(chǎn)量,而在性能一致性和可靠性方面的投入相對較少.這種性能的不一致性在大規(guī)模應(yīng)用中會帶來嚴(yán)重問題.例如,在通信6G基站晶振陣列中,如果使用的COTS振蕩器性能參差不齊,可能導(dǎo)致各個基站之間的信號同步出現(xiàn)偏差,影響整個通信網(wǎng)絡(luò)的覆蓋范圍和通信質(zhì)量.而且,COTS振蕩器在長期使用過程中,由于材料老化,工藝缺陷等原因,出現(xiàn)故障的概率較高,這對于需要長期穩(wěn)定運行的系統(tǒng)來說,無疑是一個巨大的隱患.
行業(yè)趨勢與應(yīng)用需求推動轉(zhuǎn)變
       隨著航天航空晶振產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,小衛(wèi)星星座計劃如雨后春筍般涌現(xiàn).這些小衛(wèi)星通常運行在低地球軌道,面臨著強(qiáng)烈的輻射環(huán)境.據(jù)統(tǒng)計,未來幾年內(nèi),全球計劃發(fā)射的小衛(wèi)星數(shù)量將超過數(shù)萬顆.這些小衛(wèi)星對星載電子設(shè)備的可靠性和小型化提出了極高的要求.抗輻射振蕩器由于其出色的抗輻射性能和在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性,成為小衛(wèi)星頻率控制的理想選擇.在衛(wèi)星通信領(lǐng)域,隨著5G乃至未來6G通信技術(shù)向太空的拓展,對衛(wèi)星通信設(shè)備的頻率精度和穩(wěn)定性要求進(jìn)一步提高.抗輻射振蕩器能夠在復(fù)雜的太空環(huán)境中,確保通信信號的準(zhǔn)確傳輸和接收,滿足高速率,大容量通信的需求.
       在軍事國防領(lǐng)域,現(xiàn)代化戰(zhàn)爭對武器裝備的信息化,智能化程度要求越來越高.無論是戰(zhàn)斗機(jī),導(dǎo)彈等武器平臺,還是雷達(dá),通信等軍事裝備,都需要高精度,高可靠性的頻率控制設(shè)備.在戰(zhàn)場環(huán)境中,電磁干擾,輻射等因素復(fù)雜多變,標(biāo)準(zhǔn)COTS振蕩器難以滿足軍事裝備在這種極端條件下的穩(wěn)定運行需求.抗輻射振蕩器憑借其強(qiáng)大的抗干擾和抗輻射能力,能夠為軍事裝備提供穩(wěn)定的頻率基準(zhǔn),確保裝備在復(fù)雜戰(zhàn)場環(huán)境下的作戰(zhàn)效能.在核工業(yè)領(lǐng)域,核電站的控制系統(tǒng),輻射監(jiān)測設(shè)備等對電子設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性要求極高.核電站內(nèi)部存在著一定程度的輻射,標(biāo)準(zhǔn)COTS振蕩器在這種環(huán)境下的使用壽命和性能難以保證.抗輻射振蕩器則能夠在核輻射環(huán)境中穩(wěn)定工作,為核工業(yè)設(shè)備的安全運行提供可靠保障.
Rakon作為頻率控制和定時解決方案的領(lǐng)先制造商,一直致力于技術(shù)創(chuàng)新.從傳統(tǒng)的振蕩器技術(shù)到如今的先進(jìn)頻率控制產(chǎn)品,Rakon不斷投入研發(fā)資源,提升自身技術(shù)實力.采用抗輻射振蕩器技術(shù),Rakon能夠進(jìn)一步拓展其技術(shù)邊界,開發(fā)出更適應(yīng)復(fù)雜環(huán)境的頻率控制產(chǎn)品.例如,Rakon推出的MercuryR™專用集成電路(ASIC),具有高達(dá)100krad的總電離劑量(TID)抗性.基于該ASIC開發(fā)的抗輻射振蕩器,不僅能夠在太空等輻射環(huán)境中穩(wěn)定工作,還實現(xiàn)了更小的尺寸,更好的頻率穩(wěn)定性(從±100ppb降低到幾ppb)以及更高的抗沖擊和抗振動性能.這種技術(shù)創(chuàng)新不僅有助于Rakon滿足現(xiàn)有市場對高性能振蕩器的需求,還能夠開拓新的市場領(lǐng)域,如深空探測,高可靠性工業(yè)控制等,從而在激烈的市場競爭中占據(jù)更有利的地位.
Rakon瑞康為什么應(yīng)該放棄標(biāo)準(zhǔn)COTS振蕩器而改用抗輻射的振蕩器
SG-8018CG 23.0140M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 23.0140MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 16.3840M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 16.3840MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 50.1100M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 50.1100MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 18.0224M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 18.0224MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 16.3860M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 16.3860MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 53.0000M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 53.0000MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 56.6500M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 56.6500MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 13.553750M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 13.553750MHZ CMOS SM SG-8018
SG-8018CG 45.0000M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 45.0000MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 100.0100M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 100.0100MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 93.7500M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 93.7500MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 19.2840M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 19.2840MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 139.2460M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 139.2460MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 100.0500M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 100.0500MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 19.4444M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 19.4444MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 26.8300M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 26.8300MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 32.7500M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 32.7500MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 135.2650M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 135.2650MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 27.000625M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 27.000625MHZ CMOS SM SG-8018
SG-8018CG 138.7000M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 138.7000MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 32.2500M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 32.2500MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 137.5000M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 137.5000MHZ CMOS SMD SG-8018
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SG-8018CG 56.4480M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 56.4480MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 26.9900M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 26.9900MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 120.9600M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 120.9600MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 14.089190M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 14.089190MHZ CMOS SM SG-8018
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SG-8018CG 100.0400M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 100.0400MHZ CMOS SMD SG-8018
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SG-8018CG 44.5450M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 44.5450MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 4.9150M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 4.9150MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 4.3000M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 4.3000MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 32.5140M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 32.5140MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 55.5555M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 55.5555MHZ CMOS SMD SG-8018
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SG-8018CG 23.8040M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 23.8040MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 121.0000M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 121.0000MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 27.0016M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 27.0016MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 148.2200M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 148.2200MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 99.9300M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 99.9300MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 14.0500M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 14.0500MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 98.7650M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 98.7650MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 46.495960M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 46.495960MHZ CMOS SM SG-8018
SG-8018CG 50.0025M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 50.0025MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 64.5160M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 64.5160MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 0.7840M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 0.7840MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 100.3120M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 100.3120MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 4.9600M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 4.9600MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 0.9280M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 0.9280MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 14.2180M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 14.2180MHZ CMOS SMD SG-8018
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SG-8018CG 26.9973M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 26.9973MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 19.843750M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 19.843750MHZ CMOS SM SG-8018
SG-8018CG 148.4258M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 148.4258MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 19.6608M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 19.6608MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 12.9876M-TJHSA0 EPSON XTAL OSC XO 12.9876MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 16.3960M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 16.3960MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 4.8250M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 4.8250MHZ CMOS SMD SG-8018
SG-8018CG 26.9900M-TJHPA0 EPSON XTAL OSC XO 26.9900MHZ CMOS SMD SG-8018

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