晶振系列
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陶瓷霧化片 wuhuapian -
陶瓷晶振 taocijingzhen -
32.768K Clock crystal -
貼片晶振 SMDcrystal -
石英晶振 Quartz Crystal -
聲表面濾波器 Quartz Crystal -
聲表面諧振器 resonator -
陶瓷濾波器 taocilvboqi -
KDS晶振 KDS CRYSTAL -
精工晶振 SEIKO CRYSTAL -
村田晶振 muRata CRYSTAL -
西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL -
愛普生晶振 EPSON CRYSTAL -
微孔霧化片 微孔霧化片 -
臺灣加高晶體 H.ELE -
進口京瓷晶體 KYOCERA -
日本NDK晶體 進口NDK晶體 -
日本大河晶體 RIVER -
美國CTS晶體 CTS石英晶體 -
臺灣希華晶體 臺灣希華 -
臺灣鴻星晶體 HOSONIC -
臺灣TXC晶體 TXC CRYSTAL -
臺灣泰藝晶體 TAITIEN CRYSTAL -
臺灣亞陶晶體 百利通亞陶 -
臺灣NSK晶體 NSK CRYSTAL -
瑪居禮晶振 臺灣瑪居禮晶振 -
富士晶振 日本富士貼片晶振 -
SHINSUNG晶振 韓國進口SHINSUNG晶振 -
SMI晶振 日本SMI貼片晶振 -
Lihom晶振 韓國Lihom晶振 -
NAKA晶振 日本納卡株式會社晶振 -
AKER晶振 臺灣安碁貼片晶振 -
NKG晶振 NKG石英晶振 -
NJR晶振 日本NJR晶振 -
Sunny晶振 Sunny CRYSTAL -
Statek晶振 Statek貼片晶體 -
Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL -
Jauch晶振 Jauch Crystal -
日蝕晶振 Ecliptek Crystal -
IDT晶振 IDT進口晶振 -
格林雷晶振 Greenray恒溫晶振 -
高利奇晶振 Golledge石英晶體振蕩器 -
維管晶振 Vectron Crystal -
拉隆晶振 Raltron CRYSTAL -
瑞康晶振 Rakon石英晶體 -
康納溫菲爾德晶振 ConnorWinfield Crystal -
ECS晶振 ECS CRYSTAL -
Abracon晶振 Abracon 石英振蕩器 -
CTS晶振 西迪斯晶振 -
SiTime晶振 SiTime可編碼振蕩器 -
微晶晶振 Microcrystal Crystal -
AEK晶振 AEK CRYSTAL -
AEL晶振 AEL CRYSTAL -
Cardinal晶振 Cardinal貼片晶體 -
Crystek晶振 Crystek石英晶振 -
Fox晶振 Fox有源晶振 -
Frequency晶振 Frequency Crystal -
GEYER晶振 GEYER CRYSTAL -
KVG晶振 KVG石英晶體 -
ILSI晶振 ILSI CRYSTAL -
Euroquartz晶振 Euroquartz crystal -
MMDCOMP晶振 MMDCOMP貼片晶振 -
MtronPTI晶振 MtronPTI晶體諧振器 -
QANTEK晶振 QANTEK石英晶振 -
QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶體 -
Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal -
Suntsu晶振 Suntsu石英貼片晶振 -
Transko晶振 Transko crystal -
Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal -
Rubyquartz晶振 進口Rubyquartz CRYSTAL -
ACT晶振 ACT石英晶振 -
Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL -
ITTI晶振 ITTI石英晶體諧振器 -
MTI-milliren晶振 MTI Crystal -
PDI晶振 PDI CRYSTAL -
IQD晶振 IQD CRYSTAL -
Microchip晶振 Microchip crystal -
Silicon晶振 Silicon Crystal -
安德森晶振 Anderson Crystal -
富通晶振 Fortiming Crystal -
CORE晶振 CORE CRYSTAL -
NIPPON晶振 NIPPON石英晶體振蕩器 -
NIC晶振 NIC Crystal -
QVS晶振 QVS CRYSTAL -
Bomar晶振 Bomar Crystal -
Bliley晶振 Bliley Crystal -
GED晶振 GED CRYSTAL -
FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL -
Standard晶振 Standard Crystal -
Q-Tech晶振 美國Q-Tech晶振 -
Wenzel晶振 Wenzel Crystal -
NEL晶振 美國NEL晶振 -
EM晶振 EM CRYSTAL -
PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL -
FCD-Tech晶振 荷蘭晶振FCD-Tech -
HEC晶振 HEC CRYSTAL -
FMI晶振 FMI CRYSTAL -
麥克羅比特晶振 Macrobizes Crystal -
AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL -
ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業提供和設計波段頻率控制設備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經營者的踏實,誠懇的態度,互惠互利的精神,實現共贏的目標,以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質量第一,客戶滿意的經營理念,將以優良的產品質量,優惠的價格,優質的服務與您建立長期穩定的合作關系,共創輝煌事業.
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞薩晶振
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貼片石英晶振 SMD CRYSTAL -
貼片陶瓷晶振 SMD 陶振 -
有源晶振 Oscillator -
石英晶體振蕩器 OSC石英晶體振蕩器
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壓控晶振 VCXO進口晶振
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壓控溫補晶振 VC-TCXO CRYSTAL
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恒溫晶振 OCXO有源晶振
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差分晶振 差分石英晶體振蕩器
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數碼產品
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醫療產品
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汽車產品
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移動產品
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智能家居
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網絡設備
- 規格型號：40820701
- 頻率：8.000MHZ-60.000MHZ
- 尺寸：5.0*3.2*1.5
- 產品描述：廣泛應用在多用途榨汁機,多功能食品加工機,氣體壓縮式電冰箱,四門電冰箱,家庭中央空調等家用電器.
大河晶振,FCX-03晶振,5032晶振,RIVER晶體
大河晶振,FCX-03晶振,5032晶振,RIVER晶體
參數:頻率范圍8.000MHZ-60.000MHZ
激勵電平: 50μW (Max. 500μW )
負載電容: 8PF,10PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度 +/-15ppm,+/-20ppm,+/-30ppm,+/-50ppm
捆包單位：3000pcs/捆
尺寸：薄型重量輕5.0*3.2*1.5mm
應用：AV設備,多功能車載系統，兒童多用途智能玩具，智能手環，多功能遙控器等產品。.jpg)
公司以提高用戶滿意度為目標，不斷推進集團整體業務的發展。讓用戶滿意，就是讓使用裝有本公司產品的手機、數碼相機等電子設備的廣大用戶滿意。我們深知這一點，因而更加努力向目標邁進。由于小型水晶晶振在信息通信中是必不可少的部件，因此上述理念已深深植入于本公司每個員工的心中。
小型元器件找RIVER”的用戶評價和信賴，是RIVER ELETEC保持行業領先地位的動力， 難度越高，就越發使他人難以企及，這正是領跑者引以為豪的地方，在石英晶振的小型化方面，公司是一直處于領先地位的優秀企業。
大河晶振,FCX-03晶振,5032晶振,RIVER晶體，出自日本晶振企業大河株式會社在中國西安設立的附屬公司，采用天然無鉛樹脂材料，符合歐盟ROHS的Pb Free規定標準，響應全球環保號召，因此受到國際電子市場的廣泛使用，加上FCX-03晶振的體積只有5.0*3.2*1.5mm大小，能為產品減少許多空間，實現時尚小型化的產品理念。
| 大河晶振型號 | FCX-03晶振,石英水晶振子 |
| 頻率范圍 | 8.000MHZ~60.000MHZ |
| 頻率公差(25℃) | ±15 ppm的，可指定 |
| 頻率穩定度超過工作溫度范圍 | ±50 ppm的，可指定 |
| 操作溫度范圍 | -40-+ 85℃，可指定 |
| 并聯電容CO | 5pF Max. |
| 驅動電平 | 1-500μW（μW500典型） |
| 負載電容 | 8pF,10pF,可指定 |
| 老化（25℃） | ±3 ppm /年最大。 |
| 存儲溫度范圍 | -40-+85℃ |
抗沖擊
晶體產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果SMD晶振已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害，因此應避免照射。
化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產品或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
請勿使用可能導致產品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用石英晶體諧振器。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞產品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。
1. 驅動能力
驅動能力說明諧振晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
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2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加無源晶振振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
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3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
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頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考
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